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DMN3007LSS
12
11
10
14
V GS = 4.5V
9
8
12
T A = 150°C
T A = 125°C
7
V GS = 4.5V
10
T A = 85°C
6
5
4
3
2
V GS = 10V
8
6
T A = 25°C
T A = -55°C
1
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
4
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
30
1.6
2.4
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
2.0
1.6
1.2
I D = 250μA
I D = 1mA
1.0
0.8
0.8
0.4
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
30
27
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
24
21
18
15
12
9
6
3
0
T A = 25°C
1,000
100
C iss
C oss
C rss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
5 10 15 20 25
30
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
DMN3007LSS
Document number: DS31460 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
April 2010
? Diodes Incorporated
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